[发明专利]电容结构有效
申请号: | 200810212161.1 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101465385A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 杨明宗 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/92 | 分类号: | H01L29/92;H01L27/02;H01L27/06;H01L27/08;H01L23/522 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;张一军 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种电容结构,包括:多个第一导线,平行设置于基底上的导电层中,上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组;绝缘层,形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域;第二导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于第一电极群组的上述多个第一导线;以及第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的上述多个第一导线。本发明的电容结构能具有更小的电容干扰,保证更稳定的工作。 | ||
搜索关键词: | 电容 结构 | ||
【主权项】:
1. 一种电容结构,包括:多个第一导线,平行设置于基底的导电层中,上述多个第一导线彼此分离且分为第一电极群组与第二电极群组;绝缘层,形成于上述多个第一导线上并填入上述多个第一导线间的区域;第二导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第一电极群组的第一导线;以及第三导线,形成于上述绝缘层上并电性连接于上述第二电极群组的第一导线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司,未经联发科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810212161.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类