[发明专利]半导体结构有效
| 申请号： | 200810212304.9 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101562195A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 姚智文;蒋柏煜;蔡俊琳;黄宗义 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种半导体结构，其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；一栅极，位于该栅介电层上方；一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；一源极区，位于该栅介电层的一侧，与该漏极区反向相对；及一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。本发明可降低源极-漏极之间的开启状态电阻值，增进开启状态的驱动电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体结构，其特征在于其包括：一半导体基材；一第一高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，且具有一第一电性；一第二高电压掺杂井区，位于该半导体基材上，且具有与该第一电性相反的一第二电性，并横向地邻接该第一高电压掺杂井区；一栅介电层，从该第一高电压掺杂井区上方延伸至该第二高电压掺杂井区上方；一栅极，位于该栅介电层上方；一漏极区，位于该第二高电压掺杂井区之中；一源极区，位于该栅介电层的一侧，且与该漏极区反向相对；以及一深掺杂p型井区，位于该第二高电压掺杂井区下方，且具有该第一电性，其中该深掺杂p型井区实质上并未直接地形成在该漏极区的正下方。
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