[发明专利]显示装置以及显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 200810212476.6 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378082A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 小林聪;川俣郁子;大力浩二;小森茂树;伊佐敏行;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种具有电特性及可靠性都高的薄膜晶体管的显示装置、以及一种量产性高地制造该显示装置的方法。在具有沟道停止型的反交错型薄膜晶体管的显示装置中，该沟道停止型的反交错型薄膜晶体管具有包括沟道形成区的微晶半导体膜，并且在该微晶半导体膜的沟道形成区中的不重叠于源电极及漏电极的区域中选择性地设置有包括一种导电型的杂质元素的杂质区。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，包括:栅电极；所述栅电极上的栅极绝缘膜；所述栅极绝缘膜上的具有沟道形成区的微晶半导体膜；所述微晶半导体膜上的缓冲层；所述缓冲层上的重叠于所述微晶半导体膜的所述沟道形成区的区域中的沟道保护层；所述沟道保护层及所述缓冲层上的源区及漏区；以及所述源区及所述漏区上的源电极及漏电极，其中，在所述微晶半导体膜的所述沟道形成区中选择性地设置包括赋予一种导电型的杂质元素的杂质区。
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