[发明专利]半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200810212491.0 | 申请日： | 2008-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101414611A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 李准东;D·J·谢皮斯;J·W·斯莱特;任志斌 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/762;H01L21/84;H01L21/20;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种并入顶部半导体层和掩埋氧化物层之间的扩散阻挡层。扩散阻挡层阻碍掺杂剂扩散入或扩散出掩埋氧化物层。扩散阻挡层可以包括介电材料，例如氧氮化硅或高k栅极介电材料。可选择地，扩散阻挡层可以包括半导体材料，例如SiC。这些材料提供比氮化硅层小的电荷俘获，氮化硅层造成掩埋氧化物层中高级别的界面陷阱密度和电荷。因此，通过扩散阻挡层抑制了掺杂剂穿过掩埋氧化物层从半导体器件扩散以及扩散到半导体器件中，而未在掩埋氧化物层中引入高界面陷阱密度或电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体结构，包括：操作衬底；掩埋氧化物层，其邻接所述操作衬底；扩散阻挡层，其邻接所述掩埋氧化物层；以及顶部半导体层，其包括半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
