[发明专利]使用双图案形成的半导体装置的制造方法及掩模无效
| 申请号： | 200810212536.4 | 申请日： | 2008-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101378009A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 田冈弘展;茂庭明美;坂井淳二郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F1/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 何欣亭;王丹昕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供使用双图案形成的半导体装置的制造方法及掩模，其中分配布图图案来避免成品率下降。该半导体装置的制造方法包括准备在双图案形成中使用的多个掩模的步骤。另外，还包括使用上述多个掩模来进行双图案形成的步骤。准备多个掩模的步骤包含根据使用多个掩模中的各个掩模的曝光步骤的特性，并考虑布图图案(LP1～LP4)的尺寸，将布图图案组(LPG1)分配到多个掩模上的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 图案 形成 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用双图案形成的半导体装置的制造方法，其特征在于，设有:准备在所述双图案形成中使用的多个掩模的步骤；以及用所述多个掩模进行所述双图案形成的步骤，准备所述多个掩模的步骤包含:根据使用所述多个掩模中各掩模的曝光步骤的特性，并考虑布图图案的尺寸，将布图图案组分配到多个掩模上的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
