[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光器件无效
| 申请号： | 200810212624.4 | 申请日： | 2008-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101478021A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;南起炼 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;谭 辉 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：多个III族氮化物半导体层，其中设有通过电子和空穴的复合而发光的有源层；和设置有从所述p侧焊盘向所述n侧电极延伸的臂部和从所述臂部向所述n侧电极分叉的两个指状物的支电极。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种III族氮化物半导体发光器件，所述III族氮化物半导体发光器件包括：衬底；在所述衬底上外延生长的缓冲层；在所述缓冲层上外延生长的n型氮化物半导体层；在所述n型氮化物半导体层上外延生长的有源层；在所述有源层上外延生长的p型氮化物半导体层；在所述p型氮化物半导体层上形成的p侧电极；在通过刻蚀所述p型氮化物半导体层和所述有源层而暴露的所述n型氮化物半导体层上形成的n侧电极；与所述p侧电极电接触的p侧焊盘；和设置有从所述p侧焊盘向所述n侧电极延伸的臂部和从所述臂部向所述n侧电极分叉的两个指状物的支电极。
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