[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200810212849.X | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101593751A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 汤乾绍;何大椿;钟于彰;王哲谊;张毓华;尤金德拉·雅达夫 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L29/872 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。本发明的优点包括击穿电压的增加、漏电流的降低以及单位面积的开启电流的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：一半导体基底；具有一第一导电特性的一第一阱区，位于该半导体基底上；具有相反于该第一导电特性的一第二导电特性的一第二阱区，环绕该第一阱区；一含金属膜层，位于该第一阱区之上并与之相邻，并延伸于至少该第二阱区的至少一内部，其中该含金属膜层与该第一阱区形成一肖特基势垒；一隔离区，环绕该含金属膜层；以及具有该第二导电特性的一第三阱区，环绕该第一阱区的至少一中央部，其中该第三阱区具有较该第二阱区为高的一掺杂浓度，而该第三阱区包括相邻于该含金属膜层的一顶面以及高于该第一阱区与该第二阱区的底面的一底面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
