[发明专利]半导体集成电路器件及其检测方法、半导体晶片、以及老化检测设备无效
| 申请号： | 200810213124.2 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN101382581A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 石飞贵志;大鸟隆志;田中泰资 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种老化检测设备，该设备用于输出检测信号并且接收响应上述检测信号的PASS信号或FAIL信号来检测在半导体晶片上形成的多个半导体芯片，具有观测装置，该装置记录在检测时接收到上述FAIL信号的时刻和次数。在对晶片进行晶片测试时或在晶片测试之后，对于合格品在其端子以外的芯片表面上附加保护膜。对于不合格品在包括其端子的整个芯片表面上附加保护膜，在这种状态下进行老化检测，能切断对老化工序之前被确定为不合格的芯片的电源供给和信号施加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 及其 检测 方法 晶片 以及 老化 设备 | ||
【主权项】：
1. 一种老化检测设备，该设备用于输出检测信号并且接收响应上述检测信号的PASS信号或FAIL信号来检测在半导体晶片上形成的多个半导体芯片，其特征在于:具有观测装置，该装置记录在检测时接收到上述FAIL信号的时刻和次数。
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