[发明专利]VCSEL阵列器件和制造VCSEL阵列器件的方法有效
| 申请号： | 200810213155.8 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101442183A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 松下和征;植木伸明 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种VCSEL阵列器件，该VCSEL阵列器件包括形成在纵向延伸的基板上的至少第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反射膜。通过选择性地移除第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反射膜的至少一部分，在该基板上形成了多个台面部分。在第一多层反射膜和第二多层反射膜中的至少一个上形成有选择氧化区。该VCSEL阵列器件还包括覆盖了该台面部分的至少侧部和底部的层间绝缘膜，以及覆盖了该层间绝缘膜的表面保护膜。该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽，其中移除了该表面保护膜的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 阵列 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种垂直腔表面发射激光二极管阵列器件，该垂直腔表面发射激光二极管阵列器件包括：沿纵向延伸的基板；形成在该基板上的至少第一多层反射膜、有源层，以及第二多层反射膜；通过选择性地移除第一多层反射膜、该有源层，以及第二多层反射膜的至少一部分而形成在该基板上的多个台面部分；形成在第一多层反射膜和第二多层反射膜至少其一上的选择氧化区；覆盖这些台面部分的至少侧部和底部的层间绝缘膜；以及覆盖该层间绝缘膜的表面保护膜，该表面保护膜具有沿该基板的纵向形成的多个槽，其中移除了该表面保护膜的至少一部分。
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