[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200810213479.1 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101383273A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 谷口谦介 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种制造半导体器件的方法，该方法包括下列步骤：在衬底中形成器件隔离区，以将所述器件隔离区分成第一和第二扩散区；在所述衬底上形成待处理的目标膜；在待处理的膜上形成硬掩模层和第一抗蚀剂层；在第一抗蚀剂层上形成第一图案；通过利用第一图案作为掩模蚀刻所述硬掩模层；在所述硬掩模层上形成第二抗蚀剂层；在所述第二抗蚀剂层上形成包括第一间隔的第二图案，以隔离第一图案；通过利用形成在第二抗蚀剂层上的第二图案作为掩模进行尺寸转换蚀刻，在所述硬掩模层上形成包括由第一间隔缩减的第二间隔的第三图案；以及通过利用形成在所述硬掩模层上的第三图案蚀刻待处理的膜。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，该方法包括下列步骤：在衬底中形成器件隔离区，以将扩散区分成第一和第二扩散区；在所述衬底上形成待处理的膜；在所述待处理的膜上形成硬掩模层和第一抗蚀剂层；在所述第一抗蚀剂层上形成第一图案；通过利用所述第一图案作为掩模来蚀刻所述硬掩模层；在所述硬掩模层上形成第二抗蚀剂层；在所述第二抗蚀剂层上形成包括第一间隔的第二图案，以隔离所述第一图案；通过利用形成在所述第二抗蚀剂层上的所述第二图案作为掩模进行尺寸转换蚀刻，在所述硬掩模层上形成包括有从所述第一间隔缩减的第二间隔的第三图案；以及通过利用形成在所述硬掩模层上的所述第三图案来蚀刻所述待处理的膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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