[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200810213494.6 | 申请日： | 2008-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101393901A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 池田靖;中村真人;松吉聪;佐佐木康二;平光真二 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体装置，其利用耐热性200℃的连接方法，能够通过将Sn-(1～10质量％)Cu-(0.05～0.5质量％)Ni焊锡与Ni系层组合抑制界面反应和抑制在流过大电流时的半导体元件的连接部中的空洞形成，并且能够使用Sn系焊锡作为高铅焊锡的代替连接材料得到与高铅焊锡为同等的电和机械的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种在构件上安装了半导体元件的半导体装置，其特征在于：连接上述构件与上述半导体元件的第一连接部具有：在上述构件上形成的第一Ni系层；在上述第一Ni系层上形成的以Cu-Ni-Sn化合物为主体的第一金属间化合物层；以及在上述第一金属间化合物层与上述半导体元件之间形成的Sn系焊锡层。
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