[发明专利]掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法有效
申请号: | 200810213569.0 | 申请日: | 2008-09-11 |
公开(公告)号: | CN101354530A | 公开(公告)日: | 2009-01-28 |
发明(设计)人: | 林丰志;蒋富升;邱鼎玮;黄顺宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 任默闻 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种掩膜上的对位标尺及应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法,其中,掩膜上的对位标尺,其具有一基准线且包含一测量部与一刻号部。测量部位于基准线的第一侧,且由多个第一测量单元与多个第二测量单元所构成;其中,各第一测量单元与各第二测量单元相邻设置,且第一测量单元的长度大于第二测量单元的长度。刻号部则位于基准线的第二侧,且由一第一刻号单元与多个第二刻号单元所构成;其中,第一刻号单元设置于第二刻号单元之间,且第一刻号单元的长度大于第二刻号单元的长度。本发明亦揭露一种应用对位标尺的屏蔽件位置确认方法。 | ||
搜索关键词: | 掩膜上 对位 标尺 应用 屏蔽 位置 确认 方法 | ||
【主权项】:
1、一种掩膜上的对位标尺,其特征在于,具有一基准线,所述对位标尺包含:一测量部,位于所述基准线的第一侧,所述测量部由多个第一测量单元与多个第二测量单元构成,各第一测量单元与各第二测量单元相邻设置且所述第一测量单元的长度大于所述第二测量单元的长度;以及一刻号部,位于所述基准线的第二侧,所述刻号部由一第一刻号单元与多个第二刻号单元构成,所述第一刻号单元设置于所述多个第二刻号单元之间,且所述第一刻号单元的长度大于所述多个第二刻号单元的长度。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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