[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种高输出功率、低成本的单片式双波长或其以上的多波长的激光器装置。半导体激光器装置，具备第1半导体激光器元件(12)和第2半导体激光器元件(13)。第1半导体激光器元件(12)，具有作为形成在端面附近的包含第1杂质的区域的第1端面窗构造(41)；第2半导体激光器元件，具有作为形成在端面附近的包含第2杂质的区域的第2端面窗构造(42)。从第1活性层(23)的下端到第1端面窗构造(41)的下端的距离，比从第2活性层(33)的下端到第2端面窗构造(42)的下端的距离短。

主权项

1. 一种半导体激光器装置，其特征在于，具备：形成在第1导电型半导体基板上的第1半导体激光器元件和第2半导体激光器元件，所述第1半导体激光器元件具有：从下侧起依次形成在所述半导体基板上的第1第1导电型包层、包含由AlxGal-xAs组成的层的第1活性层、第1第2导电型包层和第1接触层，而且具有形成在端面附近的作为包含第1杂质的区域的第1端面窗构造，所述第2半导体激光器元件具有：从下侧依起次形成在所述半导体基板上的第2第1导电型包层、包含由(AlyGal-y)zInl-zP组成的层的第2活性层、第2第2导电型包层、和第2接触层，而且具有形成在端面附近的作为包含第2杂质的区域的第2端面窗构造，所述第1第1导电型包层和第1第2导电型包层至少一方包含In，所述第1端面窗构造的下端，比所述第1第1导电型包层的下端更靠上侧，从所述第1活性层的下端至所述第1端面窗构造的下端的距离，比所述第2活性层的下端至所述第2端面窗构造的下端的距离更短，其中，0≦x≦1，0≦y≦1，0≦z≦1。