[发明专利]在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元有效
| 申请号： | 200810213605.3 | 申请日： | 2008-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101414479A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 吕函庭 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C16/10;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在绝缘体随机存取存储器上的单一晶体管存储单元。一种制造于绝缘体上硅(SOI)的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅SONOS型元件(或是BE-SONOS)以实施非易失性的操作。一层超薄的隧穿氧化层可被用来提供超快的程序化/擦除操作，其是被如同传统DRAM技术所采用的更新操作所支持。此存储器阵列是以分离位线架构被布置。一个栅极注入且不具有隧穿氧化物的DRAM单元在此被描述。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 随机存取存储器 单一 晶体管 存储 单元 | ||
【主权项】：
1、一种包含一衬底的集成电路，其特征在于，包含：一存储器阵列，其位于该衬底的一第一区域上，包含单一晶体管的介电电荷捕捉存储单元，该多个存储单元是被布置为一个分离位线架构以用于随机存取读取、擦除及程序化操作；以及控制电路于该衬底的一第二区域上且被耦接至该存储器阵列，该控制电路包含逻辑及偏压电路其具有随机存取读取、擦除及程序化模式，其中于该擦除模式下是偏压一被选取的存储单元以产生空穴隧穿以设定该选取的存储单元内的一擦除临界状态，且于程序化模式下是偏压一被选取的存储单元以产生电子隧穿以设定该选取的存储单元内的一程序化临界状态。
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