[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 200810214324.X | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101494249A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 文仁植;金大园 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 徐江华;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种具有改进工艺的太阳能电池制造方法和一种通过这种方法制造的太阳能电池,这种太阳能电池包括具有通路孔的半导体衬底、发射极部分、基极部分、第一电极和第二电极。发射极部分和基极部分在半导体衬底中形成p-n结。第一电极电连接到发射极部分,而第二电极电连接到基极部分。形成导电性晶体以将第一电极的第一电极部分电连接到发射极部分,从而增加太阳能电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种太阳能电池,包括:半导体衬底,其包括通路孔,所述半导体衬底具有光入射到的第一表面和与第一表面相反的第二表面;发射极部分,其形成在所述半导体衬底的第一表面、第二表面和通路孔的壁上;基极部分,其在所述半导体衬底中与所述发射极部分一起形成p-n结;第一电极,其电连接到所述发射极部分;和第二电极,其电连接到所述基极部分,其中,所述第一电极包括:第一电极部分,其形成在所述半导体衬底的第一表面上;第二电极部分,其形成在所述半导体衬底的第二表面上;和连接电极部分,用于通过所述通路孔连接第一电极部分与第二电极部分;其中,在第一电极部分与所述发射极部分之间的第一界面的结构,不同于在第二电极部分与所述发射极部分之间和在所述连接电极部分与所述发射极部分之间的第二界面的结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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