[发明专利]电解质晶体管及其制造方法有效
申请号: | 200810214451.X | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101459195A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 林哲歆 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L29/76 | 分类号: | H01L29/76;H01L21/334;H01L51/05;H01L51/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 封新琴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种电解质晶体管,其包括栅极结构、两源极/漏极、电解质层与埋入式导电层。栅极结构包括栅极介电层与栅极,位在基板上方。两源极/漏极,彼此分离,位于栅极结构两侧的基板上方。电解质层,位于两源极/漏极之间并与其接触,并且位于栅极结构与基板之间并与其接触。埋入式导电层,位于电解质层与基板之间。两源极/漏极之间的电解质层具有沟道,通过电解质层氧化还原反应来改变其导电性,以开启或关闭沟道。 | ||
搜索关键词: | 电解质 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种电解质晶体管,包括:栅极结构,其包括栅极介电层与栅极,位于基板上方;两源极/漏极,其彼此分离,位于该栅极结构两侧的该基板上方;电解质层,位于该两源极/漏极之间并与其接触,并且位于该栅极结构与该基板之间;以及埋入式导电层,其位于该电解质层与该基板之间,其中,该两源极/漏极之间的该电解质层包括沟道,通过该电解质层的氧化还原反应来改变其导电性,以开启或关闭该沟道。
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