[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法，此器件包括具有第一导电型的衬底、具有第二导电型的深阱、缓冲区、具有第一导电型的基体区、具有第二导电型的源极区、具有第一导电型的接触区、具有第二导电型的第一淡掺杂区、具有第二导电型的漏极区、沟道区、栅极结构以及具有第二导电型的第二淡掺杂区。深阱位于衬底中。缓冲区位于深阱中。基体区位于缓冲区中。源极区与接触区位于基体区中。第一淡掺杂区位于深阱中。漏极区位于第一淡掺杂区中。沟道区位于源极区与漏极区之间的部分基体区中。栅极结构覆盖沟道区与部份缓冲区。第二淡掺杂区位于源极区与沟道区之间。在操作所述器件时可降低体电场以及表面电场，提升器件的击穿电压。

主权项

1.一种横向扩散金属氧化物半导体器件，其特征在于，所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：具有一第一导电型的一衬底；具有一第二导电型的一深阱，位于所述衬底中；一缓冲区，位于所述深阱中；具有所述第一导电型的一基体区，位于所述缓冲区中；具有所述第二导电型的一源极区，位于所述基体区中；具有所述第一导电型的一接触区，位于所述基体区中；具有所述第二导电型的一第一淡掺杂区位于所述深阱中；具有所述第二导电型的一漏极区，位于所述第一淡掺杂区中；一沟道区，位于所述源极区与所述漏极区之间的部分所述基体区中；一栅极结构，覆盖所述沟道区与部份所述缓冲区；以及具有所述第二导电型的一第二淡掺杂区，位于所述源极区与所述沟道区之间。