[发明专利]灰阶掩模及其缺陷修正方法、其制造方法、图案转印方法无效
申请号: | 200810214719.X | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101344720A | 公开(公告)日: | 2009-01-14 |
发明(设计)人: | 田中淳一;佐野道明 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种灰阶掩模(20)的缺陷修正方法,该灰阶掩模具有遮光部(21)、透光部(22)和半透光部(23),该半透光部将掩模(20)使用时所使用的曝光光的透射量降低规定量,半透光部(23)包括半透光膜(26),该方法具有:在半透光部(23)确定缺陷区域的工序;和在缺陷区域形成不同于半透光膜的组成的修正膜(27)的工序。在该修正膜形成工序中,预先把握相对规定波长的曝光光的修正膜的光透射率特性,根据所把握的修正膜的光透射率特性,适用相对规定波长的曝光光的修正膜(27)的光透射率与半透光膜(26)的大致相等的条件。 | ||
搜索关键词: | 灰阶掩模 及其 缺陷 修正 方法 制造 图案 | ||
【主权项】:
1.一种灰阶掩模的缺陷修正方法,该灰阶掩模具有遮光部、透光部和半透光部,并且用于在被转印体上形成膜厚阶段性或连续性不同的抗蚀图案,上述半透光部通过在透明衬底上形成使曝光光的透射量降低的半透光膜而成,上述灰阶掩模的缺陷修正方法,具有:确定在半透光膜中产生的缺陷区域的工序;和在所确定的上述缺陷区域,形成不同于上述半透光膜的组成的修正膜的工序;并且,在上述修正膜形成工序中,确定曝光光中所包括的规定波长;根据预先把握的上述修正膜的光透射率特性,适用相对上述所确定的规定波长的光的上述修正膜的光透射率大致等于上述半透光膜的光透射率的条件,形成上述修正膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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