[发明专利]半导体元件有效
| 申请号： | 200810215062.9 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101562223A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01S5/00;H01S5/343 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件，包括一硅基材；多个硅刻面结构形成于硅基材的上表面；以及一III族氮化层位于所述多个硅刻面结构上。所述多个硅刻面结构彼此分离，且具有重复的图案。本发明折衷考虑了基材的价格、性能表现、及/或工艺复杂性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一硅基材；多个硅刻面结构，形成于该硅基材的上表面，其中所述多个硅刻面结构彼此分离；以及一III族氮化层，位于所述多个硅刻面结构上。
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