[发明专利]具有连接装置和至少一个半导体构件的结构无效
| 申请号： | 200810215743.5 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101409276A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | K·奥古斯丁;C·格布尔 | 申请（专利权）人： | 塞米克朗电子有限及两合公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 赵 冰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明给出一种具有与至少一个半导体元件导电连接的连接装置并具有填充物的结构。其中连接装置被实现为至少包含一个绝缘薄膜和两个导电薄膜的复合薄膜，这个复合薄膜具有层结构，其中一个导电薄膜、一个绝缘薄膜以及另一个导电薄膜交替排列，并且导电薄膜被构造并从而形成导电线路。在相应导电薄膜中的至少一个凹槽被分配给至少一个半导体元件，并且填充物位于连接装置与至少一个半导体元件之间。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 连接 装置 至少 一个 半导体 构件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种结构，具有与至少一个半导体元件(3a/b，4，5)导电连接的连接装置(1)并具有填充物(8)，其中所述连接装置(1)被实现为至少包含一个绝缘薄膜(14)和两个导电薄膜(10，12)的复合薄膜，这个复合薄膜具有层结构，其中导电薄膜(10/12)与绝缘薄膜(14)交替排列，并且至少一个导电薄膜被构造(18)从而形成导电线路(100，120)，其中在相应导电薄膜(10，12)中的至少一个凹槽(60/62/64/66)被分配给至少一个半导体元件(3/4/5)，并且所述至少一个凹槽(6)至少部分地位于导电薄膜(10/12)被半导体元件所覆盖的区域中，所述凹槽具有最大为相应半导体元件面积25％的面积，并且其中填充物(8)位于连接装置(1)与至少一个半导体元件(3a/b)之间。
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