[发明专利]单一光子产生装置及量子位读取装置和方法有效

专利信息
申请号: 200810215748.8 申请日: 2008-09-09
公开(公告)号: CN101399425A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 市村厚一;后藤隼人 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01S3/00 分类号: H01S3/00;H01S3/10;G02F1/00;G06N1/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦 晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了单一光子产生装置及量子位读取装置和方法。该方法包括:准备包括共振角频率ωc的共振腔模式的光学共振腔;准备包含在光学共振腔中的材料,其包括低能态|g>和高能态|e>,并包括被外场所改变的|g>-|e>之间的跃迁角频率ωa;向所述材料施加角频率ωl不同于共振角频率ωc的光;以及向所述材料施加第一外场以改变跃迁角频率ωa以便与角频率ωl共振,使得材料的状态被变换到高能态|e>,并随后向材料施加第二外场以改变跃迁角频率ωa以便与共振角频率ωc共振,使得材料的状态被变换到低能态|g>。
搜索关键词: 单一 光子 产生 装置 量子 读取 方法
【主权项】:
1. 一种产生单一光子的方法,其包括:准备包括共振角频率ωc的共振腔模式的光学共振腔;准备包含在所述光学共振腔中的材料,其包括低能态|g>和高能态|e>,并且包括被外场所改变的|g>-|e>之间的跃迁角频率ωa;向所述材料施加角频率ωl不同于共振角频率ωc的光;以及向所述材料施加第一外场以改变跃迁角频率ωa以便与角频率ωl共振,使得材料的状态被变换到高能态|e>,并随后向材料施加第二外场以改变跃迁角频率ωa以便与共振角频率ωc共振,使得材料的状态被恢复到低能态|g>。
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