[发明专利]一种获取闪存物理参数的方法有效
| 申请号： | 200810216977.1 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101430936A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 谭四方;罗挺;成晓华 | 申请（专利权）人： | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/20 | 分类号： | G11C16/20 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种获取闪存物理参数的方法，其包括以下步骤：在所述闪存与闪存控制器之间的数据总线上通过上拉电阻或下拉电阻来进行编码设置；所述闪存控制器只要测知所述数据总线上的上拉电阻或下拉电阻的配置状态，就可以通过一个闪存物理参数配置查找表获知所述闪存的相关物理参数。本发明获取闪存物理参数的方法由于采用了在闪存数据总线上设置上拉电阻或下拉电阻的方式来进行编码配置，从而方便和简化了对闪存物理参数的获取过程，提高了识别闪存的效率和准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 获取 闪存 物理 参数 方法 | ||
【主权项】：
1、一种获取闪存物理参数的方法，其包括以下步骤：A、在所述闪存与闪存控制器之间的数据总线的任意数据线上预先设置上拉电阻或下拉电阻；B、上电后，所述闪存控制器测知所述数据总线的各数据线上电阻之配置状态；C、根据上述配置状态，所述闪存控制器自动形成一个状态配置编码；D、根据上述配置编码，所述闪存控制器在预先设置的闪存物理参数配置查找表里获取所对应闪存芯片的物理参数。
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