[发明专利]一种太阳能电池片的制备方法无效
| 申请号： | 200810217208.3 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101728457A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李宗德;王胜亚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制备太阳能电池片的方法，步骤包括：1)高温烧结条件下，以导电体为衬底沉积熔融硅材料制备含有背电场的硅片；2)将步骤(1)所得硅片制绒；3)将步骤(2)所得硅片制氮化硅膜；4)将步骤(3)所得硅片印刷正电极；5)将步骤(4)所得硅片烧结。本发明的制备工艺方法简单，而且节约资源，较大程度降低生产成本，同时本发明制备的太阳能电池片具有相对较高的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池片的制备方法，步骤包括，1)高温烧结条件下，以导电体为衬底沉积熔融硅材料制备含有背电场的硅片；2)将步骤(1)所得硅片制绒；3)将步骤(2)所得硅片制氮化硅膜；4)将步骤(3)所得硅片印刷正电极；5)将步骤(4)所得硅片烧结。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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