[发明专利]一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法有效
| 申请号： | 200810222116.4 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101671817A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 徐强;蔡明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底依次进行稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、净化处理和起片处理后，得到晶圆衬底上的薄膜，该方法还包括：在沉积处理和氢去除处理之间进行净化处理。本发明提供的方法在每次沉积晶圆的衬底上薄膜时，去除薄膜表面的氢含量，从而使得最终得到的晶圆衬底上薄膜的张应力增大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 增强 化学 沉积 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体增强式化学气相沉积处理方法，对晶圆衬底依次进行第一稳定化处理、沉积处理、氢去除处理、第一净化处理和起片处理后，得到晶圆衬底上的薄膜，其特征在于，该方法还包括：在沉积处理和氢去除处理之间进行第二净化处理。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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