[发明专利]通孔刻蚀方法无效
申请号: | 200810222118.3 | 申请日: | 2008-09-09 |
公开(公告)号: | CN101673681A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 韩秋华;杜珊珊;韩宝东 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/311 | 分类号: | H01L21/311;H01L21/768 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王 琦;王诚华 |
地址: | 100176北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种通孔刻蚀方法,在通孔刻蚀中,采用小分子量气体稀释刻蚀气体的浓度。由于小分子量气体在其稀释刻蚀气体的同时,在刻蚀过程中产生的轰击力不足以对通道侧壁造成损伤,因此,刻蚀后得到的通孔光滑、轮廓均匀,在通孔中填充导电材料后,填充密实,减小了通孔中填充导电材料的阻值,保证了通孔具有良好的导电特性。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
1.一种通孔刻蚀方法,形成通孔刻蚀结构,其特征在于,利用包含有小分子量的稀释气体的刻蚀气体对通孔结构进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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