[发明专利]高深宽比氧化硅刻蚀工艺无效
| 申请号： | 200810222444.4 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101372311A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 罗葵;张大成;王兆江;李婷;田大宇;王玮;王颖;李静 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王朋飞 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺，其采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，并采用以下工艺参数：离子源功率为1000－1800W；承片台功率为300－400W；反应室压力为4－12mT；C4F8流量为10－20sccm/min；H2流量为4－8sccm/min；He流量为150－200sccm/min。本发明高深宽比氧化硅刻蚀工艺的技术方案，通过对包括离子源功率、承片台功率、反应室压力等一系列重要刻蚀工艺参数的调整，可明显提高氧化硅的刻蚀速率和对刻蚀掩膜选择比，同时能满足侧壁垂直度的刻蚀要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高深 氧化 刻蚀 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种高深宽比氧化硅刻蚀工艺，采用电感耦合等离子刻蚀系统，且反应气体包括C4F8、H2及He，其特征在于，采用以下工艺参数窗口:离子源功率:1000-1800W；承片台功率:300-400W；反应室压力:4-12mT；C4F8流量:10-20sccm/min；H2流量:4-8sccm/min；He流量:150-200sccm/min。
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