[发明专利]一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法

摘要

一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法，属于磁性薄膜领域。其特征是用一定厚度的(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆为缓冲层，用以诱导强的(111)Ni₈₁Fe₁₉衍射峰，同时在Ni₈₁Fe₁₉表面沉积Al₂O₃纳米氧化层，利用纳米氧化层的“镜面散射”作用提高Ni₈₁Fe₁₉薄膜的AMR值。采用磁控溅射方法制备出具有准确成分的Ni₈₁Fe₁₉薄膜。薄膜结构为：(Ni₈₁Fe₁₉)₆₄Cr₃₆(1～13nm)/Ni₈₁Fe₁₉(10～200nm)/Al₂O₃(1～3nm)/Ta(5～9nm)薄膜，溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。

主权项

1.一种改善各向异性磁电阻坡莫合金薄膜性能的方法，其特征是采用原子百分比，用(Ni81Fe19)64Cr36做缓冲层，在Ni81Fe19表面沉积Al2O3纳米氧化层；实施方案是，缓冲层(Ni81Fe19)64Cr36是由Ni81Fe19靶和Cr靶共溅射方法制备，溅射靶材为Ni81Fe19靶，Cr靶，Ta靶，Al2O3陶瓷靶，其中Al2O3纳米氧化层采用直接溅射氧化物靶材的方法；Ni81Fe19靶，Cr靶，Ta靶采用磁控溅射方法，在溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa；化学分析确定最终沉积薄膜成分为81Ni:19Fe，并且控制薄膜杂质含量小于0.1％。