[发明专利]具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1－x/Co/Si多层结构颗粒膜材料无效
| 申请号： | 200810223238.5 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101359716A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 章晓中;谈国太;张歆;吴利华;万蔡华 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12;H01F10/32;H01F41/14;H01F41/20;G01R33/09;C23C14/28;C23C14/06 |
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| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了属于磁学量传感器材料的具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1－x/Co/Si多层结构颗粒膜材料。用激光脉冲沉积方法在晶格取向100的n－Si基片上先后沉积一层Co和一层CoxC1－x薄膜后所得。该材料在室温、外加磁场为0.01T条件下的正磁电阻效应可达+20.6％。具有价格低廉，性能优越等特点，是一种很好的磁传感器材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 室温 低场巨 磁电 效应 co sub si 多层 结构 颗粒 材料 | ||
【主权项】：
1.一种具有室温低场巨磁电阻效应的CoxC1-x/Co/Si多层结构颗粒膜材料，其特征在于：首先，在晶格取向100的Si基片上沉积一层Co薄膜，然后，在Co薄膜上面沉积一层CoxC1-x薄膜。
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