[发明专利]一种p型ZnO薄膜制造方法有效
| 申请号： | 200810223688.4 | 申请日： | 2008-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN101368288A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘尧平;张天冲;梅增霞;郭阳;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B29/40;C30B31/02;H01L21/363;H01L21/40 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100190北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂的p型ZnO薄膜制造方法，在外延生长ZnO的同时通过热蒸发掺入NaOH(LiOH)，在ZnO薄膜中实现了Na－H或Li－H共掺，Na或Li原子在ZnO晶格中处于替锌位NaZn或LiZn，不仅提高了Na或Li的固溶率，同时抑制了间隙位的Nai或Lii的形成，降低了自补偿效应。再通过在活性氧气氛下的高温退火工艺有效地去除薄膜中的H元素，实现了Na或Li的高效掺杂，获得高质量、稳定的p型ZnO薄膜，可望用来制造高性能的ZnO基光电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种采用NaOH或LiOH作为掺杂剂制造p型ZnO薄膜的制造方法，具体为：在外延生长ZnO薄膜的同时通过热蒸发掺入NaOH或LiOH，再通过在活性氧气氛下的高温退火工艺，去除薄膜中的H元素。
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