[发明专利]一种半导体器件栅极的制作方法有效
| 申请号： | 200810224598.7 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728256A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;陈海华;黄怡;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅极氧化层之后，在所述栅极氧化层上沉积多晶硅层，并在所述多晶硅层上形成图案化的掩膜层，其关键在于，在图案化的掩膜层两侧形成侧壁聚合物；使图案化的掩膜层及侧壁聚合物做掩膜，刻蚀所述多晶硅层；移除图案化的掩膜层及侧壁聚合物构成的掩膜。应用本发明使刻蚀出来的栅极宽度达到均匀，从而使栅极到源极和漏极的距离相等，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 栅极 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件栅极的制作方法，在衬底上生成栅极氧化层之后，在所述栅极氧化层上沉积多晶硅层，并在所述多晶硅层上形成图案化的掩膜层，其特征在于，该方法还包括：在图案化的掩膜层两侧形成侧壁聚合物；使图案化的掩膜层及侧壁聚合物做掩膜，刻蚀所述多晶硅层；移除图案化的掩膜层及侧壁聚合物构成的掩膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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