[发明专利]一种集成电路版图结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810224782.1 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101447473A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 阮文彪;陈岚;李志刚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造工艺和版图设计技术领域的一种集成电路版图结构及其制造方法。为了解决现有技术中化学机械研磨后集成电路版图细线区铜金属残留的问题，本发明提供一种集成电路版图结构及其制备方法，通过增加细线区线间距，使细线区的铜生长厚度下降，不同结构铜生长比较均匀，从而减轻了化学机械研磨的负担，提高平坦化能力，避免细线区产生的热点问题，提高了产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 版图 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路版图结构，包括铜线、介质层和阻挡层，其特征在于：所述版图的细线区铜线宽度小于0.2微米，细线区介质层线间距为铜线宽度的2～4倍，所述铜线面积占版图总面积的20～30％。
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