[发明专利]导电结构及焊盘的形成方法有效
| 申请号： | 200810224804.4 | 申请日： | 2008-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN101728317A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;张海洋;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 董立闽;李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种导电结构的形成方法，包括步骤：提供已形成下层导电结构的衬底；在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层上定义导电结构开口图形；以所述导电结构开口图形为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成导电结构开口；刻蚀所述导电结构开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入的氧气流量在15sccm至25sccm之间；在所述导电结构开口内填充金属，形成导电结构。本发明还对应公开了一种焊盘形成方法。利用本发明的导电结构及焊盘的形成方法，可以提高导电结构或焊盘的形成质量，有效改善器件的电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电结构的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供已形成下层导电结构的衬底；在所述衬底上依次形成刻蚀停止层和层间介质层；在所述层间介质层上定义导电结构开口图形；以所述导电结构开口图形为掩膜，刻蚀所述层间介质层形成导电结构开口；刻蚀所述导电结构开口底部的刻蚀停止层，且所述刻蚀过程中加入的氧气流量在15sccm至25sccm之间；在所述导电结构开口内填充金属，形成导电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
