[发明专利]金属残留物的清洗方法无效
申请号: | 200810224806.3 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN101724847A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 胡亚兰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | C23G1/02 | 分类号: | C23G1/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种金属残留物的去除方法,包括:提供具有半导体结构的晶片,所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物;先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片,然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片,从而去除所述的金属残留物。采用所述的金属残留物的去除方法,能够较充分的去除含Pt的金属残留物,提高器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 金属 残留物 清洗 方法 | ||
【主权项】:
一种金属残留物的去除方法,其特征在于,包括:提供具有半导体结构的晶片,所述半导体结构上具有含Pt的金属残留物;先采用HPM溶液湿法清洗所述晶片,然后采用APM溶液湿法清洗所述晶片,从而去除所述的金属残留物。
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