[发明专利]等离子体约束装置和等离子体加工设备有效
| 申请号： | 200810224814.8 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101383278A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体约束装置，包括：边框组，包括至少两个形状相同、尺寸各异的嵌套设置的边框；固定部件，与所述边框组固定连接，能够将所述至少两个边框的相对位置固定；其中，所述至少两个边框之间具有间隙，所述间隙的深度大于等离子体中带电粒子的平均自由程或者所述间隙的宽度小于等离子体鞘层的尺寸。相应的，本发明还提供了一种半导体加工设备，包括上述的等离子体约束装置。所述的等离子体约束装置不仅能够将等离子体加工设备中的等离子体约束在特定区域，而且结构简单，便于加工制造和维护。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 约束 装置 加工 设备 | ||
【主权项】：
1、一种等离子体约束装置，其特征在于，包括:边框组和固定部件；所述边框组，包括至少两个形状相同、尺寸各异的嵌套设置的边框；所述固定部件，与所述边框组固定连接，能够将所述至少两个边框的相对位置固定；其中，所述至少两个边框之间具有间隙，所述间隙的深度大于等离子体中带电粒子的平均自由程或者所述间隙的宽度小于等离子体鞘层的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
