[发明专利]LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法有效
| 申请号： | 200810225030.7 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101381085A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张久兴;周身林;刘丹敏 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C01B35/04 | 分类号： | C01B35/04 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。现有LaB6阴极材料的制备技术存在烧结温度高、时间长、工艺复杂等问题。本发明将LaB6粉末置于模具中压实后放入SPS烧结炉内，施加30-50MPa压力，采用高纯氩气气氛或真空度高于5Pa的真空，以90-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1400-1700℃，保温时间为5-20min，随炉冷却，即可得到LaB6多晶块体。本发明方法在降低烧结温度、缩短烧结时间，简化工艺流程的同时，大幅提高了LaB6阴极的力学性能和发射性能。 | ||
| 搜索关键词： | lab sub 多晶 块体 阴极 材料 快速 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种LaB6多晶块体阴极材料的快速制备方法，其特征在于，包括以下步骤:将LaB6粉末装入石墨模具中，加压压实后，放入SPS烧结炉中进行烧结，烧结工艺为:轴向压力30-50MPa，气氛为99.999％的高纯氩气或真空度高于5Pa的真空，以90-200℃/min的升温速度升温，烧结温度为1400-1700℃，保温时间为5-20min，随炉冷至室温，得到LaB6多晶块体阴极材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学，未经北京工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810225030.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
