[发明专利]百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法有效
| 申请号： | 200810225785.7 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101738662A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈熙;钟源;陈良惠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/32;G03F7/40;G03F7/42 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法，该方法包括：步骤1：将光刻胶按不同的配比进行稀释，在清洗干净的衬底上甩胶，得到厚度分别为80nm、120nm、160nm、200nm和260nm的光刻胶层；步骤2：采用325nm的全息曝光系统，对不同厚度的光刻胶层进行相应剂量的曝光；步骤3：对经过曝光处理的样品进行显影和定影，得到相应的光刻胶光栅形貌图样；步骤4：对样品进行后烘，利用等离子体去胶机去除底胶，并对得到的光刻胶光栅形貌进行修饰。利用本发明，制备出了百纳米级窄线宽多种形貌的全息光栅光刻胶图样。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 级窄线宽 多种 形貌 全息 光栅 光刻 图样 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：将光刻胶按不同的配比进行稀释，在清洗干净的衬底上甩胶，得到厚度分别为80nm、120nm、160nm、200nm和260nm的光刻胶层；步骤2：采用325nm的全息曝光系统，对不同厚度的光刻胶层进行相应剂量的曝光；步骤3：对经过曝光处理的样品进行显影和定影，得到相应的光刻胶光栅形貌图样；步骤4：对样品进行后烘，利用等离子体去胶机去除底胶，并对得到的光刻胶光栅形貌进行修饰。
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