[发明专利]电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200810225934.X | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101388431A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 沈光地;陈依新 | 申请（专利权）人： | 沈光地 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张 慧 |
| 地址： | 100124*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管及其制备方法，属于半导体光电子技术领域。其结构包括上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极的正下方的电流阻挡层(120)，电流阻挡层的分布与上电极相对应，在上电极与电流扩展层之间设置有导电光增透层(101)；并且电流阻挡层设置在导电光增透层或电流扩展层或上限制层或有源区里面，或相邻的两层、三层、四层的里面；其中电流阻挡层是通过后工艺实现的。与上电极对应的电流阻挡层几乎完全避免了无效电流产生的光及热损耗，因此，提高了LED光提取效率，增加了发光强度，此结构降低了热的产生，尤其适合于大功率LED的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 电流 阻挡 分布 电极 对应 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、电流阻挡层的分布与上电极对应的发光二极管，包括有从上往下依次纵向层叠生长的上电极(10)、电流扩展层(100)、上限制层(300)、有源区(200)、下限制层(400)、缓冲层(500)、衬底(600)、下电极(20)，还包括有位于上电极(10)的下方的电流阻挡层(120)，其特征在于：在上电极(10)与电流扩展层(120)之间设置有导电光增透层(101)，并且电流阻挡层的分布与上电极相对应。
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