[发明专利]腔室窗及等离子体工艺腔室有效
| 申请号： | 200810226478.0 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101740336A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种腔室窗及等离子体工艺腔室，腔室窗包括上盖，上盖的下表面设有内衬，腔室窗的边缘部位设有楔形支座，上盖和内衬支撑于楔形支座上，上盖与楔形支座之间设有密封圈，楔形支座支撑于工艺腔室的腔体上。工艺过程中，上盖部分主要承受大气压力；内衬部分主要抵抗等离子气体轰击和腐蚀，对上盖起到保护作用，可以通过更换内衬，延长上盖的使用寿命，减小对加工工艺的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 腔室窗 等离子体 工艺 | ||
【主权项】：
一种腔室窗，包括上盖，其特征在于，所述上盖的下表面设有内衬。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
