[发明专利]用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元有效
| 申请号： | 200810226686.0 | 申请日： | 2008-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101741346A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;周玉梅;卫宝跃 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04;H03H11/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明，实现了零极点型高阶滤波器，降低了功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 实现 极点 型高阶 滤波器 电容 双二阶 单元 | ||
【主权项】：
一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，其特征在于，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电，形成第一级积分单元；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电，形成第二级积分单元；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。
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