[发明专利]掩模板及其制备方法有效
| 申请号： | 200810226814.1 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101738846A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郝金刚;彭志龙;朴春培;王威 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掩模板及其制备方法。该掩模板包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。本发明将灰色调掩模技术和半色调掩模技术相结合制备出的一种新的掩模板，该掩模板在使用过程中使得部分透光区域下方的光刻胶曝光均匀，有利于形成光刻胶部分保留区域的平整表面，从而有利于TFT沟道刻蚀，提高了阵列基板的良品率，同时，光刻胶部分保留区域边缘的光刻胶倾角增大，有利于在形成TFT沟道过程中进行工艺的精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种掩模板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其特征在于，所述部分透光区域由半透明部分和透明部分交替排列形成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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