[发明专利]半导体器件中互连线形成方法有效
| 申请号： | 200810227019.4 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740481A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;康芸;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件中互连线形成方法，包括：在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。可减少电镀过程中孔洞的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 互连 线形 成方 | ||
【主权项】：
一种半导体器件中互连线形成方法，包括，在基底上形成具有互连线结构的介质层及覆盖所述互连线结构的底壁和侧壁的晶种层；采用第一电流形成覆盖所述晶种层的底电镀分层；形成覆盖所述底电镀分层并填充所述互连线结构的顶电镀分层；其特征在于，形成所述顶电镀分层的步骤包括：采用过渡电流形成覆盖所述底电镀分层的过渡电镀分层，所述过渡电流介于所述第一电流和第二电流之间，所述第二电流使形成后续电镀分层顶层的速率高于采用所述第一电流形成所述底电镀分层的速率；采用所述第二电流形成覆盖所述过渡电镀分层的电镀分层顶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
