[发明专利]一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元有效
| 申请号： | 200810227127.1 | 申请日： | 2008-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101447778A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 陈勇;周玉梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H03H11/04 | 分类号： | H03H11/04;H03H11/12 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，包括：一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入信号；一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，接收差分输入级的输出信号；一电流源，提供双二阶单元支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，确定双二阶单元的极点特性；一反相前馈电容元件，包括两个电容，抵消非理想因素，提高零点Q值；一同相前馈电容元件，包括两个电容，确定双二阶单元的复数共轭零点特性。本发明解决了零点Q值降低的问题，提出一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，可以采用级联设计方法实现零极点型高阶滤波器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 零点 增强 技术 双二阶 单元 | ||
【主权项】：
1、一种采用零点Q值增强技术的双二阶单元，其特征在于，包括：一差分输入级，包括两个PMOS晶体管，用于接收差分输入信号；一内部源极跟随器，包括两个PMOS晶体管，用于接收所述差分输入级的输出信号；一电流源，用于提供该双二阶单元的支路电流；一级间差分电容，包括两个电容，用于确定该双二阶单元的极点特性；一反相前馈电容元件，包括两个电容，用于抵消非理想因素，提高零点Q值；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定该双二阶单元的复数共轭零点特性。
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