[发明专利]高导热微波衰减器材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200810227383.0 | 申请日： | 2008-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN101734922A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 杨志民;董桂霞;马书旺;杜军;毛昌辉 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B41/88;H01P1/22 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 耿小强 |
| 地址： | 100088 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种微波衰减器材料及制备方法，特别涉及一种应用于真空条件下的绿色环保微波衰减器材料及制备技术，属于微波电子真空技术领域。本发明的高导热微波衰减器材料，包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％(磁控溅射镀膜)；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。本发明的微波衰减器材料导热率高、气孔率低、机械强度高、均匀性及一致性高且无毒、无污染，此材料可以满足在较宽频段内，至少有20dB的反射衰减量。 | ||
| 搜索关键词： | 导热 微波 衰减器 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高导热微波衰减器材料，其特征在于：包括金属相Mo或W：1.65～2.01vol.％；介质相AlN：93～96vol.％；烧结助剂CaF2：2～5vol.％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院，未经北京有色金属研究总院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810227383.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
