[发明专利]一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于有机电子技术领域，特别涉及一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法。为了克服现有技术中成本高的缺陷，本发明提供一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括绝缘衬底上的源电极、绝缘层、漏电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极，所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，分别与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。本发明通过控制绝缘层的厚度来控制器件的沟道长度，避免了昂贵的电子束光刻，大幅度地降低制备纳米级沟道有机晶体管的难度，从而减少了制备的成本。

主权项

1、一种纳米级沟道有机场效应晶体管，包括：绝缘衬底、源电极、绝缘层、漏电极、栅电极、栅介质层和有机半导体层，其特征在于：所述源电极、有机半导体层、栅介质层和栅电极从左至右依次设置在绝缘衬底的上表面上，且相互接触，其中有机半导体层处于中心位置；所述源电极上方从下到上依次设有绝缘层和漏电极，且相互接触，并与有机半导体层接触；所述源电极、绝缘层和漏电极合起来的厚度与有机半导体层、栅介质层和栅电极的厚度相同。