[发明专利]一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法

摘要

本发明涉及一种SDRAM读写方法，公开了一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法。本发明主要是利用物理存储器SDRAM的single write特性，提出写合并机制，在减少CPU访问内存数据时间的同时，以提高SDRAM访问效率，该方法适合应用于对存储器访频繁问的使用多核SoC设计的多媒体处理芯片领域。

主权项

1、一种面向写穿透cache的SDRAM读写方法，使用SDRAM的single方式，其特征在于，首先建立缓冲区，选择性的执行以下操作：(1)单个数据写操作：a)当一个SDRAM写数据到来时，解析它的行地址记为k，在缓冲区中查看是否有一行与该行地址k相同，如果有，则直接在缓冲区相应行中写入该数据，同时查看这一行是否已满，如果已满，则将这一行写入SDRAM的第k行中；如果数据缓冲区中没有一行与该行地址k相同，则转b)；b)查看缓冲区中是否有空行，如果有，则写入该空行，同时更新其行地址信息；如果没有，转c)；c)根据替换算法，将缓冲区中的一行数据全部写入SDRAM中，空出一行供当前的写数据使用；(2)单个数据的读操作：当读取一个数据时，先查看缓冲区中，如果该读数据在缓冲区中，则读取缓冲区中的相应数据；如果不在缓冲区中，从SDRAM中读取相应数据；(3)连续数据的读操作：当读取连续数据时，首先从SDRAM中读取，同时查看缓冲区，如果有该数据的拷贝，将缓冲区中相应数据作为读取结果，否则，将SDRAM中的相应数据作为读取结果；(4)连续数据的写操作：当连续数据到来时，直接写入SDRAM中，同时查看缓冲区，如果有该数据的拷贝，同时将所述连续数据写入缓冲区中，即可。