[发明专利]一种多通道闪存芯片阵列结构及其写入和读出方法有效

专利信息
申请号: 200810232221.6 申请日: 2008-11-11
公开(公告)号: CN101740102A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 崔建杰 申请(专利权)人: 西安奇维测控科技有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G06F13/16
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 康凯
地址: 710077 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种多通道闪存芯片阵列结构及其写入和读出方法,解决现有技术中闪存数据读写速度慢的缺陷。包括由闪存芯片,数据总线、控制总线和片选信号线构成的多个通道,每个闪存芯片对应与一条片选信号线,每个芯片的片选信号线独立,每个通道内的所有闪存芯片公用独立于其他通道的一条数据总线和一条控制总线。数据写入时,命令和地址信息通过命令接口传递给命令解析单元;启动数据接口管理单元和通道仲裁单元;通道仲裁单元根据地址信息进行通道的预分配,并传递给通道仲裁单元和数据分配单元;把数据写入对应通道的缓存中,然后由通道仲裁单元启动相应的闪存时序产生模块;最后写入闪存芯片中。闪存读写速度快,数据写入可靠性高。
搜索关键词: 一种 通道 闪存 芯片 阵列 结构 及其 写入 读出 方法
【主权项】:
一种多通道闪存芯片阵列结构,包括由闪存芯片,以及与闪存芯片连接的数据总线、控制总线和片选信号线构成的多个通道,每个闪存芯片对应与一条片选信号线,每个芯片的片选信号线独立,其特征在于:所述每个通道内的所有闪存芯片公用独立于其他通道的一条数据总线和一条控制总线。
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