[发明专利]一种单通道闪存的高速写入方法无效
| 申请号： | 200810232222.0 | 申请日： | 2008-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101739365A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 崔建杰 | 申请（专利权）人： | 西安奇维测控科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 康凯 |
| 地址： | 710077 陕西省西安*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单通道闪存的高速写入方法，解决现有技术中闪存数据写入速度慢的缺陷。首先，占用相应通道内的第一个闪存芯片的实际写入时间，向第一个闪存芯片写入数据；其次，利用第一个闪存芯片的写入等待时间，通向下一个闪存芯片继续写入数据；然后，依照上述方式，利用当前闪存芯片的写入等待时间，依次向通道内剩余的闪存芯片写入数据，直至通道内的所有闪存芯片完成一次数据写入工作，而且当第一个闪存芯片的写入等待时间结束，通道内的写入操作一周完毕；最后，重新向第一个闪存芯片写入数据，开始新的写入操作，直至所有数据的写入工作完成，循环写入操作完毕。具有闪存写入速度快，数据写入可靠性高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通道 闪存 高速 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种单通道闪存的高速写入方法，其特征在于：1]、占用相应通道内的第一个闪存芯片的实际写入时间，通过控制总线和数据总线向第一个闪存芯片写入数据；2]、利用第一个闪存芯片的写入等待时间，通过控制总线和数据总线向下一个闪存芯片继续写入数据；3]、依照步骤2]的方式，利用当前闪存芯片的写入等待时间，依次向通道内剩余的闪存芯片写入数据，直至通道内的所有闪存芯片完成一次数据写入工作，而且当第一个闪存芯片的写入等待时间结束，通道内的写入操作一周完毕；4]、返回步骤1]，重新向第一个闪存芯片写入数据，开始新的写入操作，直至所有数据的写入工作完成，循环写入操作完毕。
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