[发明专利]SOI三维CMOS集成器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种SOI三维CMOS集成器件及其制作方法，它是微电子技术领域，主要解决现有三维集成电路速度低的问题。其方案是采用SSOI和SSGOI衬底构建新的三维CMOS集成器件的两个有源层。其中，下层有源层采用SSOI衬底，利用SSOI衬底中应变Si材料电子迁移率高的特点，制作应变Si nMOSFET器件；上层有源层采用SSGOI衬底，利用SSGOI衬底中应变Si材料空穴迁移率高的特点，制作应变SiGe表面沟道pMOSFET器件；上下有源层之间采用键合工艺，形成三维有源层结构，并通过互连线连接，构成导电沟道为65～130nm的三维CMOS集成器件。本发明制造的SOI三维集成CMOS器件与现有三维集成器件相比，具有速度快和性能好的优点，该器件可用于制造大规模、高速三维CMOS集成电路。

主权项

1.一种SOI三维CMOS集成器件，包括上下两层有源层，其特征在于下层有源层(2)采用应变Si nMOSFET器件，上层有源层(1)采用应变SiGe表面沟道pMOSFET器件，该两层之间通过SiO2介质层键合。