[发明专利]绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 200810232512.5 | 申请日： | 2008-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101419985A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 毛维;郝跃;杨翠;过润秋;张进成;马晓华;许晟瑞 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其中，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自源场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板与源场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、击穿电压高和可靠性好的优点，可制作基于III-V族化合物半导体材料异质结结构的高频大功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅型源场板异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种绝缘栅型源场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(6)、绝缘栅极(7)、钝化层(8)、源场板(9)和保护层(11)，该源场板(9)位于钝化层(8)上，且与源极(4)电气连接，其特征在于，在自源场板到漏极方向的钝化层(8)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，与源场板共同形成加长的复合源场板结构。
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