[发明专利]低压大变容比二极管的制造方法

摘要

本发明涉及一种低压大变容比二极管的制造方法。本发明采用双离子注入技术形成PN结二极管，通过调节PN结P型区域和N型区域的注入剂量和退火时间，形成陡峭的PN结，确保在低的反向电压下保证二极管的变容比，使其满足低压便携式接收装置的应用要求。本发明的低压大变容比二极管，在低的反向电压和较小电压变化范围的情况下，其相应的电容比能达到3.0。本发明的低压大变容比二极管可应用于低压便携式接收装置。

主权项

1. 一种低压大变容比二极管的制造方法，其包括以下步骤：(1)在电阻率为0. 001Ω·cm、重掺杂砷的N++<100>硅衬底片上，生长一N型外延层，外延层厚度为2.5μm，电阻率为2.5Ω·cm，掺杂杂质为磷，形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1区域；(2)对所述已生长了外延层的硅片进行常规氧化，生长一氧化层，厚度为1.2μm，常规光刻，刻蚀出有源区窗口；(3)在所述已刻蚀出有源区窗口的硅片上进行常规氧化，生长一薄氧化层，厚度为180nm，进行砷杂质注入，剂量为1×1014cm-2，能量为120KeV，在1150℃下退火60分钟后，形成所述低压大变容比二极管的N-2区域，漂光窗口上的薄氧化层；(4)在所述已形成N-2区域的硅片上，用常规方法生长一薄氧化层，厚度为180nm，进行硼杂质注入，剂量为1×1016cm-2，能量为60KeV，在900℃下退火98分钟后，形成所述低压大变容比二极管的P+区域，漂光窗口上的薄氧化层；(5)对已形成所述低压大变容比二极管的N++/N-1/N-2/P+区的硅片，进行常规的金属布线、光刻、钝化、合金，再对硅片的背面进行常规的减薄、背面金属化，最终形成所述的低压大变容比二极管。